简介:给出张量积Said-Ball曲面降多阶逼近的一种方法.该方法根据原张量积Said-Ball曲面Pn,m(u,v)与降多阶张量积Said-Ball曲面Qn1,m1(u,v)(n1≤n-1,m1≤m-1)在最小二乘范数下的距离函数在单位正方形[0,1]×[0,1]上取最小值,从而得到了用矩阵表示的降多阶张量积Said-Ball曲面Qn1,m1(u,v)的控制顶点{qij}i^n1=0,^、m}=0的显示表示式.在降多阶过程中,分别考虑了带角点高阶插值条件和不带角点插值条件的情形.文末附有数值例子,并将本文方法与参考文献(9)的方法做了比较.
简介:摘要院在大地电磁资料的分析中,其中相当大的一部分问题都是因为近地表电性结构水平非均匀性导致二维或三维的区域构造中水平均匀的正常电磁场发生畸变,从而对MT阻抗张量产生影响1。故研究MT阻抗张量畸变和分解方法对于反演解释的正确性有重要的意义。