简介：工作在中、长波红外波段（波长5-12μm）的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延（ME）法在InAs（砷化铟）衬底上生长的InAs0.05Sb0.95（铟砷锑）厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge（锗）浸没透镜。傅里叶变换红外（FTIR）吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2-9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp＊达到5.4×10^9cm·Hz1/2·W^-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D＊分别为9.3×10^8和1.3×10^8cm·Hz1/2·W^-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。

简介：<正>AnalogDevices,Inc.全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,近日推出业界精度最高的隔离式Σ-Δ型调制器AD7403,适合直流/交流功率转换应用中的精密电流和电压测量。隔离式Σ-Δ型调制器AD7403可在78KSPS速率以及-40°C至+125°C温度范围内实现81-dB的信噪比和信纳比(SINAD)(最小值),比竞争器件高出11dB。较高的信纳比可实现更加精确的电流和电压测量,通过降低电机轴上的转矩波动,提高电机驱动的性能。此外,较高的信纳比

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>Diodes推出低压1MH-z升压型直流-直流转换器PAM2401,旨在满足备用电池、无线电话及全球定位系统接收器等便携式产品对效率愈见严格的要求。这款同步转换器可维持高达95%的工作效率,提供真正的输出断接功能以防漏电,并确保产品在低至1V的输入电压下安全启动。PAM2401为0.9V到4.75V较低的工作电压输入范围提供1.0A到3.0

简介：<正>凌力尔特推出同步降压-升压型DC/DC控制器LT3790,采用单个器件就可提供高达250W功率。LT3790的4.7V至60V输入电压范围使其非常适合多种汽车和工业应用。其输出电压可设定在0V至60V,从而非常适合用作电压稳压器或电池/超级电容器充电器。LT3790的内部4开关降压-升压型控制器采用高于、低于或等于输出电压的输入电压工作,使其成为汽车等应用

简介：针对法布里—珀罗干涉型压力传感器进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法.