简介：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20，3615（2008）上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。