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InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

简介：利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.
标签： INP/INGAAS 量子阱红外探测器 PL谱

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X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。
标签： X射线驻波方法半导体超薄异质外延层硅晶体外延生长 Ge

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双晶形貌法观察Gal－xAlxAs／GaAs外延材料的内部缺陷

作者：郑凡磊;王丽南;丁力;王显德
学科：理学 > 物理
创建时间：1996-04-14
出处：《大学物理实验》 1996年第4期

简介：文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。
标签：双晶衍射双晶形貌像缺陷

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