简介：采用脉冲激光沉积方法，以烧结的Fe3O4为靶材，在STO（100）基底上制备了Fe3O4（100）薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量，薄膜为负磁电阻，且在Verwey转变温度（约120K）时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小，In（n）与I／T基本呈线性关系，符合半导体热激活模型，迁移率随着温度的降低而减小，说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。
Fe3O4（100）／STO（100）薄膜的制备及磁输运特性研究
