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超结MOSFET的最新发展动向

作者：田波;亢宝位
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2004-04-14
出处：《电力电子》 2004年第4期

简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
标签：功率MOSFET 超结MOSFET 通态电阻击穿电压硅限

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