简介：摘要：本文主要探究硅晶圆切割工艺。研究过程中，以激光隐形切割工艺为例，选择8寸硅晶圆，厚度450µm，99.9%纯硅为试验材料，光纤激光器为试验设备，结果表明激光功率、焦点位置、激光频率、光板重叠率、速度及加工次数均会影响切割效果，需结合实际情况，设置切割参数，从而为相关工作者提供参考。

简介：据悉，由南开大学、天津津能公司等共同投资建设的新型光伏电池——非晶硅和微晶硅叠层电池生产线，目前在天津高新区建成投入生产。并将产品远销海外市场，受到用户欢迎。

简介：摘要本文通过对目前较流行新型采暖方式硅晶地暖的原理，优缺点的分析，结合本单位工程期间对采暖设施的改造，对硅晶地暖与其他比较常用的采暖设施做了比较分析，并简述了在本单位的铺设使用情况。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：摘要随着当今行业趋向于更薄的晶圆和更高的电池效率，前后表面的钝化现在对于商用硅电池也变得至关重要。硅太阳电池表面钝化是提高其光电转换效率最行之有效的手段之一。晶体硅太阳电池的背面钝化是下一代高效低成本太阳电池研发的热点。本文主要论述背面钝化的晶体硅太阳电池的关键理论和工艺，从硅电池的发展概括，以及背钝化的意义和方法进行分析，旨在讲述不同背钝化方法的特点给与相关企业提供有价值的帮助。

简介：以R2O-CaO-SiO2-F系硅渣微晶玻璃为研究对象,考察冷却速率对微晶玻璃析晶动力学的影响。研究表明：对于同一化学组成的基础玻璃,析晶峰峰位发生明显迁移,析晶峰峰值温度发生非常大的变化,在升温速率α=10℃/min时,样品析晶峰峰值温度相差近40℃;基础玻璃呈现两种不同的析晶方式,即表面析晶和整体析晶。通过晶化实验发现,冷却速率对析出晶相的种类和相对比例都有显著影响,由析出晶相不同而引起的样品微观形貌也呈现巨大的差异性。

简介：通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响．

简介：摘要太阳能发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位。中国的太阳能发电研究比国外晚20年，但目前已经成功超越欧洲、日本成为世界太阳能电池生产第一大国。晶硅太阳能电池在大规模应用和工业生产中占据主导地位。本文通过CNABS、DWPI数据库结合incopat，对全球、国内晶硅太阳能电池专利分布进行详尽分析

简介：摘要： 太阳能发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位。中国的太阳能发电研究比国外晚 20年，但目前已经成功超越欧洲、日本成为世界太阳能电池生产第一大国。晶硅太阳能电池在大规模应用和工业生产中占据主导地位。本文通过 CNABS、 DWPI数据库结合 incopat，对全球、国内晶硅太阳能电池专利分布进行详尽分析

简介：摘要硅已经被广泛应用于现代微电子领域，准确测量其电学和光学特性对其应用具有重要意义。本文提出利用太赫兹（THz）无损检测技术研究硅（Si）晶元的方法，采用空气共振产生和检测THz时域光谱系统产生了0.1-8THz的THz波，利用该系统的时域光谱模块获得高阻Si的时域波形和频谱，计算得到其折射率、相对介电常数；利用光泵浦-THz探测模块测得Si的载流子寿命。实验结果和出厂标定的参数近似，本方法也适用于其他半导体晶元的光电特性的检测。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：利用电子束蒸发技术在硅衬底上镀一层2.5μm厚的含氢非晶硅薄膜,用氩离子激光器的488nm谱线作激发光线,对a-Si-H薄膜进行辐照,使a-Si-H晶化。其拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明,经激光辐照后,在a-Si-H薄膜中形成纳米硅粒。

简介：全球领先的薄膜太阳能设备和电池供应商欧瑞康太阳能于2008年11月中旬宣布其新一代“高效非晶硅”技术面市。欧瑞康太阳能在组件性能方面一直占据领先地位，运用先前的非晶硅技术迄今为止已生产出50万多块太阳能组件。这为高速发展的光伏技术提高了经济生存能力，具有重大意义。

简介：利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能，结果表明，在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于非晶一微晶相变域附近，激活能都偏低，存在氧污染问题．给出了氧污染解决途径．

简介：以商洛市柞水大西沟低硅铁尾矿为主要原料,采用烧结法研制微晶玻璃。在分析低硅铁尾矿化学组成的基础上,设计微晶玻璃的主晶相及基础玻璃组成,并对制备工艺进行研究。对制得的微晶玻璃进行XRD,DSC表征分析,并对试样的抗压强度、真密度、硬度等理化性能做了测试。结果表明:以低硅铁尾矿、石英粉、生石灰、MgCO3、硼砂为基础玻璃配方,在1400℃下熔制2h制得基础玻璃;经水淬、粉磨、压制成型,在1200℃晶化2h制得了抗压强度高达47.41MPa的微晶玻璃。XRD的测试结果表明,采用TiO2+Zr2O3复合晶核剂,且质量比例为2:1时微晶玻璃晶化效果较佳,晶化后的物相为透辉石相(CaMgAl3(SiO3)2),与初始主晶相设计相符。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：摘要：氢化非晶硅薄膜因具有优良的光学特性和物理特性，被广泛应用于太阳能电池、传感器和大面积平板显示等领域。本文采用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）在1.8m×1.5m的基板上制备非晶硅薄膜。通过调整下电极加热温差设置及电极间距（spacing）来改善膜厚分布，优化产品TFT特性。

简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：本文运用AMPS-1D软件模拟仿真了P型微晶硅窗口层材料对pin型太阳电池性能的影响。结果表明，太阳电池的性能随窗口层材料带隙的变化而变化。当带隙Elx=1．6eV时电池性能最佳，获得了7．309％的高效率。

简介：<正>世界500强企业——美国应用材料公司经过对中国市场的长期考察,十分看好晶龙集团在半导体领域的技术创新能力和行业优势,日前选定在晶龙集团建立硅探针材料实验室。美国应用材料公司是全球最大的半导体生产设备和高科技技术服务企业,营业收入连续9年在半导体生产设备领域名列第一。晶龙集团是国家火炬计划太阳能硅材料产业基地,年产单晶硅5000余吨,产量连续8年居世界之最。