简介：PCB上游的铜箔基板（CCL）厂台光电在2013年年底因出现明显外销市场需求走扬，出现2013年12月营收走扬到14．7亿元（新台币，下同），明显优于11月的12．5亿元水平，其主要买盘仍以来自韩国为主；同时，依照目前台光电的接单状况，仍维持在12月的高档水平。台光电主管研判此一买盘仍以为2月因两岸春节长假前的客户端备货需求为主。

简介：采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射（XRD）谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光（PL）和紫外？可见光谱（UV-Vis）分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.

简介：采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法，在导电玻璃（FTO）上生长ZnO纳米棒阵列（ZnONRs）。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、电流-电压（I-V）曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试，结果表明：ZnONRs呈纤铅矿型；ZnONRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关，经0.1mol/LKOH刻蚀1h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnONRs；KOH刻蚀后的ZnONRs与未刻蚀前高密度的ZnONRs相比，其光学性能得到提高。0.1mol/LKOH刻蚀1h的ZnONRs作为太阳能电池的光阳极，其光电转换效率、短路电流、开路电压较未刻蚀的ZnONRs分别提高了0.71%、2.79mA和0.03V。

简介：台光电（2383）的无卤素板产品主要应用在主流的消费性电子产品，包括智能型手机和平板计算机，该产品占据台光电营收60．70％，同时台光电还布局网通、云端产品及服务器。台光电布局已久的厚铜服务器板已打入PCB厂客户。台光电主管指出，由业务部门的回报数据显示，此一新产品在今年下半年将有重要销售效应出现。

简介：采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜（Zn-TiO2）,研究不同热处理温度下Zn掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn-TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897mV。SEM-EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn-TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负,载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下,300°C热处理后的Zn-TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。