简介：摘要中波天线的桅杆是发射台附近最高的建筑之一，因而遭受雷电侵袭的概率比较高，特别是在雷电高发区，雷电侵袭的后果都比较严重。雷电侵袭往往会造成天馈线系统、发射机、电力系统、弱电设备的损坏，继而造成较长时间的停播事故。本文重点对天馈线系统雷电侵袭的形成原因和相关部位的防护措施进行论述，希望能为同行提供借鉴。

简介：英威腾：＂英威腾＋invt＂商标被正式认定为＂广东省著名商标＂2010年12月24日,经广东省著名商标评审委员会评审通过,＂英威腾＋invt＂商标（注册号：1981183）被广东省工商局正式认定为＂广东省著名商标＂。

简介：中国联通携CDMA1X利器进军证券业,中国联通集团核心资产实现整体上市,国内厂商WCDMA商用取得零的突破华为承建SUNDAY全香港WCDMA3G网络,中兴WCDMA和PHS网间切换技术取得突破。

简介：“两会”在京隆重开幕3G加入通信服务行列;中国联通赴欧洲采购3G通信设备;北京电信手机上网流量“免费”;中国电信成上海世博会门票销售指定代理;中兴通讯3G视频监控服务运营商

简介：

简介：信产部发布电信服务质量通告短信申诉呈下降趋势,139.com探讨移动互联网发展模式,中国网通集团与摩托罗拉进行内控交流,我国通信业三季度继续保持平稳增长,爱立信第三季度财报表现强劲

简介：亚洲区电讯机构盈利趋跌；爱尔兰发出29个电信牌照；MCI拟收购无线电话公司；ICO以新加坡东南亚为总部；新加坡流动电话渗透率达三成；星传呼市场趋饱和。

简介：伴随着现代通信和计算机技术的迅速发展,特别是最近20年来以太网技术的突飞猛进,为构建各种程式的局域网的需求,布线技术也在不断创新增长,适应我国城市建设和智能建筑建设的需要.

简介：第四届全球IPv6高峰论坛在京举办；首届移动终端研发与测试会议在京举办；“中国与亚太地区3G产业发展”座谈会在京召开；2005IPTV中国峰会在京成功召开；爱立信携手乐荣公司建立合资公司。

简介：新MC56调音台巡展举办在Lawo公司MC56MKII调音台新品问世之际,安达斯公司作为Lawo在中国的合作伙伴,于2013年4月中旬,先后在中央台、黑龙江台、江苏台、南京台、四川台等地进行了巡展,受到各地电视台广泛关注。

简介：有线电视网络运营商研究“三网融合”，2006国际手机产业展览会暨论坛成功举办，SONICWALL进一步加强在中国的投入，SiConnect力推POEM家用电力线技术，TOM在线尽现世界杯无限激情，西部通信与农村信息化论坛即将召开，.mobi域名将改变手机上网的方式，商业品质视频应用走入低端用户。

简介：亚洲卫星与用户搭建沟通的桥梁；我国确定在海南建设新航天发射场；手机应用主题评选结果揭晓；华为全光接入系统获得国内酋个GPON入网证；2007中国数字电视产业链建设报告会举办。

简介：InfoCommAsia2008将于11月在港举办;RADVISION推出全新eVident;惠普携宝洁共建四川灾区小学;Avaya引领企业级语音通信;爱立信向Telcet提供微波传输链路;英迈协助摩托罗拉拓展市场;

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简介：7月17日，某网站成都版论坛上赫然出现了一西安女网友的征婚帖子，其条款明晰的“假结婚协议”，丝毫未加掩饰地说明了其发表该帖子的目的——为了享受单位“找一个异地老公，每年才能有一个月长假”的福利!该帖子引起了众多网友的关注，在漫天的“口水”中，也不乏支持者甚至应征者。

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简介：MIMO雷达是近年来出现的一项新的雷达技术，也是下一代雷达发展的主要方向之一。文章在简单介绍MIMO雷达的基本概念和工作过程后，主要研究了MIMO雷达的波束形成，利用MIMO雷达多个发射天线的多个发射信号的复相关矩阵进行分析，在R完全相关和完全正交的情况下，对MIMO雷达的波束形成进行仿真，同时对介于这两种情况下的波束形成优化问题进行了研究。

简介：为了提高综合电子信息系统体系结构的可重用性和集成性，提出将该系统体系结构分为综合级和项目级2个层次，从概念、特点、内容以及描述框架等角度研究了该系统综合级体系结构。首先，研究了综合级体系结构的定义、作用及特点等概念；然后，研究了该系统总体论证阶段的主要过程，分析了每个过程的主要任务、相关角色及关注点，并介绍了综合级体系结构的组成；最后，根据相关角色及关注点，描述了该系统综合级体系结构框架，给出了其视角、模型及相互关系。

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

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