简介:基于4阶Runge-Kutta法,介绍了“强光一号”加速器长脉冲状态的电路模型。该模型不仅考虑了电爆炸丝导体断路开关(electronexplosiveopeningswitch,EEOS)金属丝的电阻率随比作用量变化的特性,而且考虑了油间隙和真空二极管间隙击穿过程中等效阻抗的变化特性。仿真结果表明,该模型能够更好地反映EEOS的初始参数对放电回路电流和电压的影响规律,能够为加速器的运行和性能提升提供有力的技术参考。通过仿真计算和理论分析,认为“强光一号”加速器的初级储能系统——直线型变压器(lineartransformerdriver,LTD)经过升级改造后,EEOS的工作电压能够提升大约20%,且获得了EEOS最佳工作状态的参数。
简介:以“闪光二号”加速器硬X射线为辐照源,对腔体内系统电磁脉冲(systemgeneratedelectromagneticpulse,SGEMP)磁场环境的验证方法进行了研究。根据测量的“闪光二号”二极管的电压、电流,模拟了发射电子束能谱参数;结合辐射靶物理设计,建立了二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了轫致辐射X射线场参数;采用时域有限差分(finitedifferencetimedomainmethod,FDTD)和粒子模拟(particleincell,PIC)方法,模拟了该射线环境中的腔体SGEMP磁场环境;将轫致辐射X射线参数及腔体SGEMP磁场环境的模拟结果与实验结果进行了比较。结果表明:从X射线源参数模拟开始的腔体内SGEMP数值模拟计算模型的实验验证方法是合理可行的。
简介:TN1595010522光电器件近年来的发展趋向=Reviewofrecentdevelopmentinoptoelectronicdevices[刊,中]/缪家鼎(浙江大学.浙江,杭州(310027))//半导体光电.—1994,15(1).—1—6文章从光电器件的单元技术、成像器件和垂直腔面发射半导体激光器三方面评述了光电器件的进展,说明它是一个充满活力的研究领域。图12表1参2(任延同)TN1595010523光学器件与光计算机=Opticaldeviceandopticalcomputer[刊,中]/张桂萍(河北大学电子系,