简介：为了了解硅单晶Czochratski（Cz）法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响，利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟，假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流，熔体为不可压缩流体．Cz炉外壁温度维持恒定。结果表明：熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响，而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小。
物性参数对硅单晶Czochralski生长过程的影响
