简介：

简介：Ahera公司日前推出业内密度最高、速度最快的现场可编程门阵列(FPGA)StratixⅡEP2S90器件。

简介：3．2．4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术，在电镀、喷漆的行业中，早已得到广泛的应用，它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去，并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度，从而有利于涂（镀）覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中，利用射流喷砂加工微孔技术，是近几年发展起来的新工艺。

简介：本文主要对高密度、高多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述，并主要针对高密度、高多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析，以便为高密度、高多层埋盲孔的钻孔提供参考。

简介：本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连制板的工序和详细方法，意在探录最为经济、简单而又行之有效的工艺。

简介：大量高新技术的电子信息产品需要高频聚四氟乙烯印制板，由于它的结构特殊，孔金属化非常困难。根据聚四氟乙烯印制板的结构，分析原因，改进工艺，在金属化孔前增加一道NH4HF2和HCl的前处理工序，从试验结果及化学反应原理上说明NH4HF2和HCl前处理的工艺配方、工艺条件及使用后的良好效果。

简介：在本文中，对两种基于不同设计的，具有高转矩密度，并且转速在不高于3000r／min时有1／3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术，逆变器供电，都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数，分别为1／2相和1／4相，其设计的持续运行的功率为45kW，额定转速为1000rpm，最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31．7kNm／／m3（电机的有效体积，包括绕组端部）。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：（中国无锡2010年2月2日）无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

简介：

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。