简介：随着智能手机的日益普及，人们对手机拍照功能的要求越来越高，市场也日益扩大。摄影摄像功能已经成为智能手机的标准配置，人们不仅仅要求图像更加清晰，而且要求手机拍照能够适应更多的场景。

简介：本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：提出了一种利用薄膜反射光谱包络线法计算光电薄膜光学常数和厚度的方法。当一束光照射在基板上的介质膜上时，由于薄膜上、下界面反射光的相干，会使反射光谱的曲线有一定的波动。本文对反射光谱进行了理论分析，给出计算公式，从测量曲线中的实验值得出薄膜的厚度和光学常数。此种方法计算过程简单、迅速，而且易于编程处理。

简介：针对＂FBAR（薄膜体声波谐振器）-梁＂结构悬臂梁厚度不足、＂嵌入式FBAR＂结构微加工工艺复杂的缺点,提出了新型＂膜片上FBAR（FBAR-on-diaphragm）＂结构的微加速度计。其弹性膜片由氧化硅/氮化硅复合薄膜构成,既便于实现与硅微检测质量和FBAR的IC兼容集成加工,也利于改善微加速度计的灵敏度和温度稳定性。对由氧化硅/氮化硅双层复合膜片-硅检测质量惯性力敏结构和氮化铝FBAR检测元件集成的膜片上FBAR型微加速度计进行了初步的性能分析,验证了该结构的可行性。通过有限元模态分析和静力学仿真得出惯性加速度作用下膜片上FBAR结构的固有频率和弹性膜片上的应力分布;选取计算所得的最大应力作为FBAR中压电薄膜的应力载荷,结合依据第一性原理计算得到的纤锌矿氮化铝的弹性系数-应力关系,粗略估计了惯性加速度作用下氮化铝薄膜弹性系数的最大变化量;采用射频仿真软件,通过改变惯性加速度作用下弹性常数所对应的纵波声速,对比空载和不同惯性加速度作用下加速度计的谐振频率,得到加速度计的频率偏移特性和灵敏度。进一步分析仿真结果还发现：氧化硅/氮化硅膜片的一阶固有频率与高阶频率相隔较远,交叉耦合小;惯性加速度作用下,谐振频率向高频偏移,灵敏度约为数kHz/g,其加速度-谐振频率偏移特性曲线具有良好的线性。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：建立了非线性热力学模型,定性分析了外加应力和外加温度对外延生长在正交基底上的Pb（Zr1-xTix）O3（PZT）薄膜相变的影响。在外力场下,固定其中一个方向失配应变e1=0.005,模拟得到了不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加应力的相图。研究发现,随着Ti组分的减少,出现了新相正交a1c相和四方相a1相,且新相区域也会随Ti组分的不同而变化。在外加拉应力下,c相是薄膜较易出现的相,而在外加压应力下薄膜易处于a1a2相。在不同温度场下,模拟非等轴失配应变的PZT薄膜得到不同组分的PZT薄膜的失配应变一外加温度相图。当组分x≤0.7时,相图中出现了正交a1c相,由于非等轴失配应变的存在,使得从顺电相向r相发生相变的过程中,多出了正交a1a2相;同时另一新的四方a1相也出现在沿失配应变正方向e2被拉伸的区域。随着Ti组分的增加,单斜r相的面积缩小且位置下移。之前存在的四相点也变为了三相点,而正交相a1a2相则向相图的中心位置移动。模拟结果对研究外场下铁电薄膜微器件的性能变化具有一定的指导意义。

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。