简介：采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。
浅析单电子晶体管工作原理与仿真分析
