简介：曼切斯特大学开发基于探地雷达（LiDAR激光雷达）提供观纽卡斯尔大学的研究人员一直在研究开发医用的超声扫描装置，经多年创新，其在声纳信号处理方面已取得成绩。目前的高端的超声设备一般价格范围在20000．200000英镑之间，低端设备也要5000英镑。目前，纽卡斯尔大学的研究人员已经研究出一种价格绝对低廉的手持设备，可以替代那些昂贵的设备。

简介：自1973年前苏联用相对论返波管产生10ns400MW的脉冲输出到2003年美国高功率电磁脉冲炸弹首次用于伊拉克战争,高功率微波武器的发展已近半个世纪,微波武器的概念目前尚未被大众所知。首先简要综述了高功率微波系统的组成、基本概念,以及高功率微波的发展历史、世界各国研究现状和高功率微波的基本效应、威力、对抗高功率微波的措施、研究中的安全防护、研究高功率微波的仪器、仪表、设备、方法及手段;最后分析了目前的水平和困难、高功率微波能量传输的极限及高功率微波武器的安全问题。

简介：本文介绍了半导体器件热阻的基本概念，讨论了稳态热阻和瞬态热阻的差别，并重点论述了瞬态热阻的测试原理和方法，说明了瞬态热阻测试的技术难点，还对瞬态热阻的测试条件与合格判据的设定提出原则性建议。

简介：介绍了一种微波功率组件自动测试台的设计，给出了系统的硬件和软件结构以及测试流程。本测试系统是基于测试方案、测试步骤、仪表设置、故障表等数据库方式对微波功率组件进行自动测试、仪表控制采集、故障的引导维修。采用标准的GPIB总线接口实现仪器仪表与计算机互连，通过优化测试流程，实现测试完整性、准确性、安全性。通过工程实践应用，该测试系统显著提高微波功率组件的测试精度和效率，具有良好的使用性能和价值。

简介：本杂志“读者园地”作为本刊编辑部与广大读者的互动栏目，主要用于回答读者的问题，刊登读者的反馈意见等。我们在审阅或编辑加工作者的来稿时，经常发现多处不符合电工技术和电子技术基础知识方面的内容，甚至犯有违反欧姆定律的错误，算式量纲也不对。我们拟在本栏目根据作者来稿及读者提出的问题写一些短文，以提高作者撰稿及读者阅稿的水平。欢迎读者提出有关问题，我们尽量（或请有关专家）给予答复。

简介：本文叙述一项名为＂用于有源设备中的电子元器件（EfA）＂的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃（最恶劣情况能达到125℃）。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：针对传统技术对抗多模制导反辐射导弹难以奏效的问题，提出一种对抗反辐射导弹的新途径，即高功率雷达通过辐射高能量微波攻击反辐射导弹。首先介绍了高功率雷达概念和基本功能，然后分析了高功率雷达对抗反辐射导弹的作用流程和损伤效应，进而推导出在反辐射导弹不同角误差漂移速度下高功率雷达的有效对抗距离，最后对高功率雷达对抗反辐射导弹进行了仿真分析。对于研究新型体制雷达和反辐射导弹对抗方法有一定的理论指导意义。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。

简介：国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）日前宣布其数字功率解决方案已经开始为全球顶尖主机板与显示卡制造商技嘉的所有全新三路数字X79主机板供电。IR的数字功率解决方案采用基于图形使用者接口（GUI）的VR设计，可提供快速、实时的调校功能，并能实现系统级优化。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：设计了一种串联迭堆式偏置供电的毫米波功率放大器，其漏极供电电压高达＋24V。该功率放大器共包含4个单芯片功率放大模块，每个模块承受＋6V左右漏极电压。功率合成网络采用一分四的E面波导功分器，模块与功分网络间相互绝缘连接。该功率放大器最终实现的性能指标是：在直流偏置点（＋24V，4．2A）条件下，功率放大器在频段26～30GHz内其连续波饱和输出功率大于42．1dBm，功率附加效率大于11．0％。提出了一种毫米波发射机功率输出部分新的构架形式，在模块级别对功率放大器串联馈电进行了首次尝试。

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。

简介：2012年10月17日，HitecPowerProtection荷兰海泰克电源保护有限公司在新加坡举办的产品发布会期间，推出了其具有里程碑意义的QPS产品系列，该产品极大的扩展了UPS系统功率及其操作灵活性。鉴于数据中心行业的增长需求，Hitec研发了世界上最大的UPS产品系列。

简介：针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10WGaNHEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2GHz～2.8GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。

简介：F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10W,实际效率达到75%,增益大约12dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。