简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：产品简介：指示器安装了1、2和3色觉（根据基本色的数量），可以使几种颜色任意结合。基本色包括红，绿，蓝，黄，白。每种基本色由一个高效的二极管提供。指示器的前界面由防闪光的漫射材料制成。可用喜欢的颜色和尺度照亮方形和箭头形的记忆标志。这种记忆标志显示是在一种特殊的光导和特殊的漫射中通过光重组而产生的

简介：Atmel推出的激光二极管驱动器（LaserDiodeDriver）ATR0885，可用于合并HD—DVD／Blu—ray、DVD、CD播放器和个人电脑只读存储器（CD—ROM）驱动器。自从新的ATR0885以极小封装推出以来，特别适合笔记本电脑上应用的小型SLIM驱动器以及桌面型电脑和DVD播放器中的半高驱动器。

简介：产品简介：大尺寸多段二极管演示器（标志高266毫米），为演示字母数字信息而设计。技术性能：红黄灯显示器供电电压：12±10％伏特

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

简介：产品简介：二极管显示器背光源是均匀显示绿色、红色黄色蓝色白色的发光界面。由高效的超亮重组在特殊光导下形成的均匀显示。光区是长方形的，二极管安在一个或两个对立面。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：产品简介：RGB程序二极管灯是在可见光谱范围内经高光电技术产生的一种光源。照明灯罩是由一种特殊的铝面制成，目的是合理地散发热量。灯运用了次光学原理。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：产品介绍：大尺寸能效多面二极管显示器是为演示字母数字信息而设计技术性能：供电电压12±10％伏特

简介：主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。

简介：Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格，且有六种颜色（超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色）供设计者选择。

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。