简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:在同步辐射软X光能区(50-2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验,因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗,使得可以用简单的模型来分析实验结果,由实验测得的光电流,计算出硅光电二极管的量子效率,并求得入射同步辐射的光通量。
磁性[Co(t)/Cu]n周期多层膜的结构与巨磁电阻效应
在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定