简介：我们用全外反向掠入射衍射，研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO）超晶格（SLs）的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下，应变驰豫机制依赖于SLs中的单层厚度。当其小于临界厚度时，SLs整体驰豫；大于临界厚度时，SLs在其两组元界面上分层驰豫。但SLs总水平应变量均随着单层厚度的减小而增大。最小能量原理计算已支持上述结果。
简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。
BaTiO3／SrTiO3超晶格界面应变驰豫的研究
Si（001）衬底自组织生长Ge量子点的组分和应变
