简介：介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论，反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加，阈值电压的波动达到约10％。
简介：通过在通用型树脂Epidian5中添加酸式烯丙基顺丁烯二酸得到了新型的环氧反式丁烯二酸(环氧富马酸)和环氧顺丁烯二酸(环氧马来酸)。本文就其合成及性能进行了初步的探讨。该树脂的合成一般有一步法和二步法．对工种方法所制得树脂的性能进行了比较，结果表明，在不饱和树脂的合成过程中，使用烯丙基醇能够有效地提高体系的性能。例如，环氧富马酸树脂的玻璃化转变温度超过了100℃，同时环氧马来酸树脂的玻璃化转变温度也高于70℃。所得到的树脂体系具有很好的耐化学性。
亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究
环氧反（式）丁烯二酸（环氧富马酸）树脂的合成及表征
