简介:日本三井化学投资天津开发区的天寰聚氨酯有限公司,已与天津开发区化学工业区总公司签订土地使用合同。该项目投资额达到2.58亿元,占地8万m^2,建设规模18kt/a发泡用组合聚醚、36kt/a聚氨酯树脂,投产后年产值可达11亿元。
简介:据有关媒体报道,日本三井化学公司日前与北里大学合作开发出一种新型杀菌薄膜,其特殊之处在于研究人员用名为“镀气”的方法在树脂薄膜表面镀上一层薄薄的铜合金,从而使薄膜具有杀菌效果。
简介:日前,三井化学与中石化旗下高桥石化就先前宣布的双方以出资比50:50建立双酚A合资公司事宜的谈判已进入最后阶段,谈判工作将在今年底结束。当前,双方正在就合资公司的原料采购、市场策略及新领导班子成员等问题进行商讨。
简介:三井化学计划在北美地区就其汽车刹车片材料专用酚醛树脂产品进行全面业务推广。能够在刹车过程中抑制噪音的高性能材料目前已被在北美拥有业务关系的日本汽车零部件制造商所接受。近期,三井化学将以其现有的名古屋工厂生产的树脂来供应北美市场,将来会考虑本地化生产并研发新级别的树脂以满足当地的技术要求。该公司2006年的目标销售额为300万美元,2010年达到1000万美元。除了可耐受汽车刹车片工作时摩擦所产生的高热外,日本市场对于该材料消除刹车噪音有强劲需求。
简介:据媒体报道,日本三井金属开发出了容量高达原产品500倍、达到1μF/cm~2、内置在底板中使用的电容器材料"AEC-1"。AEC-1薄到可内置于多层底板中,通过在底板上内置该材料,可削减安装成本、减小底板面积、
简介:剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片,可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍,材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制,形成一种全新的设计方法。
简介:美国国家标准工艺研究所(NIST)的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高,而且更加易于转入商业应用。
简介:日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中,一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。
简介:近日,美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress(NVMe)2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储,可以17mm×17mm的规格进行封装,兼容M.2、U.2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外,还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。
日本三井化学进军天津
日本三井化学公司开发出新型杀菌薄膜
三井化学高桥石化双酚A合资公司年底达成协议
日本三井化学瞄准北美刹车片用酚醛树脂市场
底板内置型电容器材料近日在三井开发成功
新的磁现象改进数据存储
硅纳米线提升了数据存贮技术
三维记忆阵列提高了数据存贮容量
美高森美推出大容量固态硬盘数据存储控制器