简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.
简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.
简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。
基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法
基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法
基于Al2O3单晶闪烁屏和CCD相机的脉冲离子束束流截面测量
