简介：玻璃态高聚物物理老化的演化规律及其本构模型的构建一直是物理与力学界的研究热点。结合近期研究进展,系统总结了国内外有关高聚物物理老化的研究方法及主要成果,分析了几种物理老化动力学理论模型的特点和不足,对未来玻璃态高聚物物理老化的研究方向进行了展望。

简介：利用MCNP程序，模拟计算Fe/W/Fe、Fe/Pb/Fe和Fe/Pb-B-(CH2))/Fe3种层合板屏蔽材料在相同强度7源或中子源辐照后透过的粒子注量，从而比较层合板的屏蔽性能；同时，改变层合板Fe/Pb-B-(CH2)/Fe的芯板厚度，计算其对透过的粒子注量的影响。结果发现，在3种层合板各层厚度对应相同时，3种层合板屏蔽材料对中子的屏蔽性能为Fe/W/Fe>Fe/Pb/Fe>Fe/Pb-B-(CH2))/Fe，对7射线的屏蔽性能为Fe/W/Fe>Fe/Pb-B-(CH2)/Fe>Fe/Pb/Fe;Fe/Pb-B-(CH2)/Fe芯板材料厚度的变化对整体屏蔽性能的影响并不明显。

简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：回顾了平行系统理论的提出过程,总结了理论的具体内容,介绍了理论的发展和应用情况。通过分析抗辐射加固系统的特点,认为运用平行系统理论解决抗辐射性能评估难题在理论上是基本可行的。最后,提出了开展抗辐射性能评估平行试验需要重点研究的几个关键问题。

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：通过Cu纳米颗粒掺杂制备了Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料,并通过调节Cu的掺杂量,讨论了Cu的掺入对Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2三元正极材料晶体结构、表面形貌、电化学性能和循环性能等一系列性能的影响,铜掺杂量为x=0.01时,在0.2C倍率下的首次放电比容量达到了219.1mAh/g,经过50次充放电循环之后,剩余比容量为115.4mAh/g。最终结果为Li[（Ni0.6Co0.2Mn0.2）1-xCux]O2中Cu的掺入量为x=0.01时,所得正极材料的电化学性能和循环性能最为优异。