简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。
简介：通过对微小应变检测意义的分析，提出了本检测仪在实际应用方面的价值和前景。基于对碳纳米管导电机理的分析、制备薄膜电阻，利用其电阻随形变变化较为灵敏的特性，将电阻的变化转换为电压值的变化，经过数据采集、放大和数字处理设计了应变传感器。
常压下金催化硅纳米线生长实验研究
基于层层自组装碳纳米管的应变检测仪
