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  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于

  • 标签: X射线驻波方法 半导体 超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 Ge
  • 简介:用传输线法计算HEMP作用下的近地电缆屏蔽感应电流时,将电缆的屏蔽与大地看作一个传输线,将编制屏蔽看成金属实管,采用分布源传输线模型来分析一段小截面传输线的输入(电磁场)与输出(感应电流或感应电压)的关系。激励电压源Ex(h,x)沿传输线长度分布,是入射场与反射场的叠加。每段长度增量都有相应电压源增量dEx。单位长度的纵向阻抗和横向导纳均考虑了有耗大地的影响。分布源传输线模型如图1所示。

  • 标签: 电缆屏蔽层 传输线法 感应电流 HEMP 近地面 传输线模型