简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：二维动画课程作为计算机专业的一门必修课，其重要性是不言而喻的，是学生学习计算机动漫制作的入门课，也是后续学习3d—max和maya等课程的基础，有很强的实践性。身为专业教师，要积极学习先进的教学理念，摒弃传统的授课模式，精选教学案例，灵活运用多种教学方法，做到以学生为中心，坚持实践性原则，提高学生分析问题和解决问题的能力，提升学生的创新能力和审美能力，培养具有“工匠”精神的新时代中职生。

简介：以“闪光二号”加速器硬X射线为辐照源,对腔体内系统电磁脉冲（systemgeneratedelectromagneticpulse,SGEMP）磁场环境的验证方法进行了研究。根据测量的“闪光二号”二极管的电压、电流,模拟了发射电子束能谱参数;结合辐射靶物理设计,建立了二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,模拟了轫致辐射X射线场参数;采用时域有限差分（finitedifferencetimedomainmethod,FDTD）和粒子模拟（particleincell,PIC）方法,模拟了该射线环境中的腔体SGEMP磁场环境;将轫致辐射X射线参数及腔体SGEMP磁场环境的模拟结果与实验结果进行了比较。结果表明：从X射线源参数模拟开始的腔体内SGEMP数值模拟计算模型的实验验证方法是合理可行的。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

简介：近几年出现的二维码教材受到读者的广泛欢迎,我们尝试把二维码技术应用到《物理光学简明教程》的编写中,使教材内容和形式更丰富,更能满足读者的需求。本文介绍了教材编写过程中二维码内容的选取、编排和意图,为理工类二维码教材的设计及教学应用提供参考。

简介：探讨热力学第二定律的玻尔兹曼变形中涉及的若干推导并给出相应的物理解释,揭示熵概念的物理实质。