简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：陈允骐广州太和电路板有限公司总经理．大学文化、高级技师。1992年创建太和电路板厂，连续从事本行业已达15年．具有丰富的印制电路企业的管理经验．熟悉印制电路板生产工艺流程和国内国际制作技术、验收标准。

简介：1月4日,工信部公告了第315批许可生产汽车、摩托车、三轮汽车的企业,河南速达电动汽车科技有限公司(简称“河南速达”)位列其中。这意味着,河南速达成为了第11家获得发改委和工信部核准的“双资质”生产企业。《公告》内容显示,同意在《公告》内设立纯电动乘用车生产企业,企业名称为“河南速达电动汽车科技有限公司”,企业注册地址为“河南省三门峡市经济开发区东区”,企业生产地址为“河南省三门峡市经济开发区东区”。

简介：1月2日晚间,北汽蓝谷(600733)公告,公司子公司北京新能源汽车收到北京经济技术开发区财政局关于拨付北汽新能源产业扶持资金的通知和拨付的产业扶持资金3.5亿元。北京新能源汽车黄骅分公司收到黄骅市政府关于给予新能源汽车产业扶持资金的函和拨付的产业扶持资金2000万元。上述政府补助的获得预计对公司2018年度利润总额的影响金额为3.7亿元,将计入其他收益科目。

简介：将热电偶固定在电路板上。可以在焊接过程中监测重要的温度参数。固定方法有许多种。其目的是获得关于电路板组件关键位置的精确可靠的温度数据。热电偶的固定方法对数据质量的影响极大。

简介：PCB的发展，当双面板无法容纳下所有线路时，势必走向多层板，而将两双面板或多个双面板利用介质接合威多层板的制程，即称为压合。压合制程影响质量最重要的3步骤：叠板、热压、冷压。下文主要讨论的是PCB多层压合的工艺参数及控制的一些方法，经由理论来设计各制程的参数，并由材料性质着手，配合制程参数：温度、压力、真空来作一探讨。

简介：ARM公司日前宣布：西安华讯公司获得ARM7TDMI处理器授权。此项授权协议使得西安华讯能够开发先进的片上系统．以用于中国的GPS导航系统。通过ARMDesignStart^TM计划，西安华讯已开始其基于ARM技术的设计，并准备将其设计成果投入量产。此次授权也使得西安华讯成为西安首个获得ARM处理器授权的厂商。

简介：徐缓，男，40岁，大学学历，现任博敏集团总裁；深圳市博敏电子有限公司总经理，广东梅州博敏电子有限公司董事长兼总经理，连续从事印制电路制作长达19年，通过长期实践和印制电路技术的认识，总结，提升，现已系统掌握印制电路制作工程评审，图形制作，

简介：本文介绍功率电子技术（Powerelectronics或称电力电子技术）与微电子技术的区别和‘功率电子学科’的形成与发展讨论功率电子定义、技术覆盖范凰分析功率电子学科与电气工程学科的三个主要子学科内容的关联。分忻功率电子系统运行特点；明确功率电子学科基本理论为：功率电子‘元器件、电路与系统’理论。

简介：针对电力系统日益增多的三相不对称负荷所造成的电网功率因数低、电压波形畸变等问题,本文以平衡化原理与瞬时无功理论为理论支撑,提出一种静止无功补偿装置（StaticVarCompensator）补偿导纳新算法。该算法通过对负荷电流有功分量和无功分量的解耦,利用提取出的无功分量计算理想补偿导纳,相比传统算法检测更为简便,且不受谐波分量影响。在Matlab/Simulink环境下建立TCR＋FC型SVC模型,通过对三相不对称负荷的仿真,证明了所提算法的正确与可行,也验证了SVC装置对平衡三相不对称网络的有效性。

简介：本文从永磁同步电机的原理、结构和数学模型出发、同时阐述施耐德变频器控制永磁同步电机的模型和控制机理,并就施耐德新一代重磅推出的御卓系列ATV340变频器为实例,以此来论述变频器分别以开环和闭环电机控制方式来驱动永磁同步电机的原理和实践调试方法。并对施耐德变频器控制同步电机的实际效果进行客观评估,实践调试方法注意事项的分享以及新老产品的性能比较。

简介：为了改善瞬时无功理论谐波检测方法的实时性、准确性,提出了一种改进型ip-iq检测法。该方法通过采用平均值算法,利用简单的积分、延时和增益环节代替了低通滤波器,将延时时间减小到了T/6,同时去掉了锁相环,进一步减小了延时,提高了检测的实时性。运用matlab/simulink搭建了仿真模型,仿真结果验证了该方法的可行性和有效性。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。