简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。
简介:针对目前不同类型FPGA要求的位元电路不一致现象.提出了一种通用FPGA位电路,该位元电路不仅适用于任意结构的反熔丝/熔丝FPGA,还可以单独的存储1和O,对反熔丝/熔丝熔通后的电阻特性也没有具体要求。