简介：目前PCB表面处理制程主要有OSP（有机抗氧化膜）、HASL（LF）（有／无铅喷锡，国内俗称热风整平）、化金、电金、化锡、化银等。如果PCB表面有多种金属共存且有线路连接或设计较复杂时，一般经过表面处理时铜面或金银面都会一定程度上受到槽液影响。这种影响可能是外观的也可能是性能上的，而且表面处理之PCB一般都是基本成品的产品，一旦报废则损失较大，所以在PCB制造过程中，表面处理是最后一道湿制程同时也是湿制程中较重要的一个环节。本文即是阐述如何在有机抗氧化膜（OSP）制程中解决铜银共存的银胶贯孔PCB银面发黑之异常问题。

简介：Spansion公司日前宣布开始出货SpansionS6AP412A系列多通DC—DC电源管理IC（PMICs）样品。

简介：非一致Cache体系结构（NUCA）几乎已经成为未来片上大容量Cache的发展方向。本文指出同构单芯片多处理器的设计主要有多级Cache设计的数据一致性问题，核间通信问题与外部总线效率问题，我们也说明多处理器设计上的相应解决办法。最后给出单核与双核在性能、功耗的比较，以及双核处理器的布局规划图。利用双核处理器，二级Cache控制器与AXI总线控制器等IP提出一个可供设计AXI总线SoC的非一致Cache体系结构平台。

简介：升特公司（Semteeh）发布了一款低于1V的模拟定时器平台，针对采用电池工作的低电压小型应用，彻底变革了传统的555定时器。新型SX8122模拟定时器通过其内在的0．9V工作电压，提供同类最佳的电池寿命，而无需外部升压转换器和电感，节省了电路板空间和成本。

简介：ADI最新推出了四通道数字隔离器ADUM540x，能够隔离数据与电源，扩展了数字隔离产品系列。它集成了ADI公司的专有的isoPower^TMdc-dc转换器和iCoupler数字隔离技术，在单芯片内提供隔离的电源和信号通道。与采用外部DC-DC转换器的光电耦合器等分立解决方案相比，

简介：碳氢化合物陶瓷基材料所制成的超薄复合覆铜板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的高频高速信号传输性能,但此材料在PCB加工过程中,或接受老化后表现出板材变色,线路结合强度下降。酸性蚀刻后线路剥离强度>1.15N/mm,在经过喷锡后降为1.0N/mm,沉金后降为0.7N/mm;在经过115MOT(最高操作温度:指PCB在成品上的最高使用温度)老化实验后酸性蚀刻线路剥离强度降为0.7N/mm左右;而沉金与喷锡线路250m线宽剥离强度达不到0.35N/mm(UL要求通过线路剥离强度要求数值)。

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。