简介：利用同轴传输主模TEM的轴向对称性特点,根据扩展同轴功分器的设计原理,设计并研制了一款8路宽带同轴扩展功分器。利用高频电磁场仿真软件HFSS对电路进行了优化仿真,加工制备了功率合成系统电路实物,并对其进行了测试。仿真结果显示,在6~18GHz的频带范围内,这种扩展同轴功分器的插入损耗小于0.65dB,反射损耗小于-9dB。验证了扩展同轴结构具有极宽的带宽、低差损、输出端口幅相一致性高的特点,在功率合成领域拥有广阔的应用前景。

简介：Inthiswork,Bi2Te3films(250nm)arefabricatedonSiO2/Sisubstratesbyradiofrequency(RF)magnetronsputteringatroomtemperature,andthepreparedfilmsareannealedoverthetemperaturerangeof200°Cto400°C.Crystallinityandelectricalpropertiesofthefilmscanbetunedcorrespondingly.ThepowerfactorsofBi2Te3filmsof0.85μW/K2cmto11.43μW/K2cmwereachievedafterannealing.Theinfraredreflectancemeasurementsfrom2.5μmto5.0μmdemonstratethatthereisalsoaslightred-shiftoftheplasmaoscillationfrequencyintheBi2Te3films.Bymeansofplasmoniccalculations,weattributethered-shiftofabsorptionpeakstothereductionofcarrierconcentrationandthechangeofeffectivemassofBi2Te3filmswiththeincreasedannealingtemperature.

简介：我们认识到NiCo2由激光照耀的O4nanomaterialsNiCo2有不同集中的O4暂停。结果表明同样准备的样品是有568nm和优异dispersity的最大的平均尺寸的需要的范围，它在0.30JDS的精力密度被获得)。Obwohl死ErkrankungenvieleGemeinsamkeitenaufweisen(Fiebersch浭湥慦獳湵?浉畭歮浯牰浯瑩楴牥湵?楢杲?浩敭?楥?牥???獥删獩歩????釧????????闧?郦????駥?釧?闦??駥?跧???闦?臧?臧????駥膹?郦?飧?蓦???釧?釧?蓦???跧?觧??跧?????觧?釧??闦??闦?觧?郧?闦???跧???釧????触?跧??趥觧?鷦？？

简介：据《每日科学》报道,来自肯塔基大学、德国戴姆勒公司及希腊电子结构和激光研究所（IESL）的科学家们合作发现了一种单原子厚度的新型平面材料,该材料可替代石墨烯材料,并将推动数字技术的进步。尽管现在石墨烯备受瞩目,被认为是世界上最强韧的材料,但却有一个显见的不足——它不是半导体,这对其在数字产业的应用来说无疑是个打击。新材料由硅、硼、氮元素组成,3种元素都有重量轻、价格低、储量大的优点。此外,

简介：Aterahertz（THz）polarizerandswitchstructureisproposedbasedonthephasetransitionofvanadiumdioxide（VO2）.WhenVO2isintheinsulationphase,theresonancefrequenciesoftheproposedstructureare1.49THzand1.22THzforthex-andy-polarization,respectively.ItcanperformasaTHzpolarizerwithextinctionratiosof52.5dBand17dBforthey-andx-polarization,respectively;WhenVO2transformsintometallicphase,theresonancefrequencyforx-polarizationwaveshiftsfrom1.49THzto1.22THz,whilethatremainsstillforthey-polarizationcomponent.Itmeansthatthestructurecanworkasapolarization-dependentTHzswitchwithahighextinctionratioof32dB.