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  • 简介:前言近年来国内外利用有机酸化学清洗很普遍,并取得满意效果.尤其对贵重设备如大型电站锅炉、石化系统不锈钢大型设备及特殊垢型如大化肥尿垢、油田油气井地下生成难溶的CaCO3和BaSO4垢,工业循环水系统水垢、生物粘泥、杀菌灭藻等,都采用有机作清洗剂,已取得成功的经验.

  • 标签: 有机酸清洗剂 清洗机理 草酸清洗 柠檬酸 清垢反应 羟基乙酸
  • 简介:首先,分析了美军指挥、控制、通信、计算和赛博(C5)装备的最新发展情况,然后,综述了美军为推动C5装备发展与应用而采取的各种措施,即根据作战需求拓宽发展领域;加强顶层设计,指导装备发展;调整机构设置,明确相关职责;采取各种措施,全面提升C5装备能力。最后,阐述了美军C5装备的发展趋势。

  • 标签: 美军C5系统 赛博空间 通信系统
  • 简介:战术级一体化联合作战作为未来战争重要形式之一,对通信网络设计提出了较高要求。由于战术通信网络具备多手段、弱连接和拓扑快速变化的特点,因此需解决快速接入和组网问题。另外,联合作战模式引入了更多类型的作战应用,不同作战应用具有不同通信网络需求。为了适应战术通信环境,实现通信资源的灵活调度,保障不同类型业务的服务质量,对战术通信网络特点以及在战术通信环境下第5代移动通信技术(5G)需求和军用化方式进行了分析,并进一步在5G网络架构与技术架构基础上,给出了5G通信技术战术应用研究方向。

  • 标签: 战术通信 通信网络 联合作战 第5代移动通信技术(5G)
  • 简介:氧塑封料(EpoxyMoldingCompound)是一种半导体封装用电子材料,主要应用于半导体器件和集成电路芯片的封装文章主要是通过对氧塑封料的发展历程、典型技术和制造工艺,以及国内外发展状况和市场应用等方面的研究,对全球的氧塑封料的发展状况进行浅析。文章特别提到有关绿色环保塑封料的应用情况。

  • 标签: 环氧塑封料 发展状况 绿色塑封料
  • 简介:氧模塑料(EMC)作为半导体产业的三大基材之一,其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间(GT)和螺旋长度(SF)是氧模塑料的两个基本性能表征指标,直接决定封装工艺参数选择范围,而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温(Thawing)及模压(Molding)等系列工序的操作及环境温度,对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件(电路)的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

  • 标签: 温度 环氧模塑料 性能 半导体
  • 简介:摘要近期华为手机发布了第一款折叠型5G手机,广泛吸引了国内外的关注,2019年被视为5G的开局之年,其带着势不可挡的力量逐渐走入人们的生活。由4G发展而来的5G通信,其高数据传输速率、低延迟、频谱效率等先进之处代表着无线网络技术的根本性转变。本文从5G技术的概念入手,探析5G技术对于我们的社会发展能做出怎样推进式的贡献。

  • 标签: 5G通信 人联网 物联网 车联网
  • 简介:顾霭云老师“表面贴装技术高级研修班”;李宁成博士“无铅制程工艺、缺陷侦断及可靠性”;李宁成博士最新的“无铅转换所带来的问题及解决方法”;薛竞成老师“无铅波峰焊接技术”技术讲座;来萍老师“电子产品静电防护及检测技术”技术讲座;“IPC—A-610D标准”专家认证培训.

  • 标签: 认证培训 表面贴装技术 波峰焊接技术 技术讲座 高级研修班 制程工艺
  • 简介:摘要:丙烯是一种重要的基础化学原料,广泛应用在涂料、胶粘剂及水处理剂等多个领域。近年来丙烯生产技术发生了许多重大的变革,其中尤以丙烷氧化酰化法、直接氧化法及丙烯氧化法等最为显著。丙烷氧化酰化法主要通过氧化也可能改善丙烯的产率和选择性。然而,这些技术还需要进一步的优化和改进,以提升丙烯的生产效率。随着环保和可持续发展要求的日益提高,绿色化学工艺、触媒改性和热动力学优化等研究越来越受到关注。中间体的充分利用和废物的回收也开始得到重视。展望未来,丙烯生产技术还需要进一步创新和发展,以满足越来越高的产量和环保要求。

  • 标签: 丙烯酸生产技术 绿色化学工艺 中间体利用
  • 简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封的A1SiC管壳,评价了带密封的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。

  • 标签: A1SiC封装材料 管壳 真空压力浸渗 密封环 有限元分析
  • 简介:采用耦合模理论,推导了型谐振器的传输函数,分析了型腔内功率的谐振加强特性,并在推导的非线性型谐振器开关曲线的具体表达式基础上,指出损耗和耦合系数对开关特性的影响,数值模拟了非线性型谐振器对不同输入功率Gauss脉冲的开关特性.

  • 标签: 谐振器 非线性 环型 特性研究 Gauss脉冲 开关特性
  • 简介:在合成碳丙脱碳系统设备内,极易生成硫垢,从而影响设备的正常运行.本文针对硫垢,详细叙述了物理清除硫垢和化学清洗硫垢的工艺方法及优缺点,进一步证明采用化学清洗方法除硫垢具有实用性强、应用范围广、易操作等优点.

  • 标签: 合成氨 碳丙脱碳系统 硫垢 化学清洗 物理清除
  • 简介:确信电子旗下的乐思公司推出了CUPROSTARCVF1铜电镀工艺。CUPROSTARCVF1专为在垂直直流电应用中填充盲微导孔并同时电镀通孔而设计,其填充了遍布表面的盲微导孔,从而完全排除了产生空穴及夹带湿气或残渣的可能性,并同时大大减少了与”在连接盘中导通孔”(via—in—pad)应用相关的焊点空洞面积。

  • 标签: 乐思公司 微导孔 酸铜 电镀工艺 导通孔 直流电
  • 简介:Oorvo推出业界首款适用于智能手机、便携式电脑、平板电脑和其他无线移动设备的5GRF前端(RFFE)-QM19000。Oorvo高度集成的高性能QM19000RFFE可实现高线性度、超低延迟和极高吞吐量,以满足或超越未来5G应用的开发需求。

  • 标签: RF前端 无线移动设备 便携式电脑 智能手机 平板电脑 高线性度
  • 简介:针对未来第5代指挥信息系统结构如何演变、新质能力如何生成的问题,在研究未来战争形态、信息技术发展预期以及指挥信息系统发展历程与现状基础上,阐述了第5代指挥信息系统面向认知与智能处理,泛在网络与普适计算,弹性适变与赛博免疫以及人机融合与自主演化的能力特征,提出了一种基于军事云脑的指挥信息系统架构模型,从反馈学习和韧性保障2个方面设计了以知识为中心的系统运行演化机理,并对需关注的技术问题进行了分析。

  • 标签: 军事云脑 知识中心 能力演化
  • 简介::Twonovelpoly[(3-alkyhhiophene-2,5-diyl)-(benzylidenequinomethane-2,5-diyl)s]derivatives,poly[(3-butylthiophene-2,5-diyl)-(p-N,N-dimethylamino)benzylidenequinomethane-2,5-diyl)](PBTDMABQ)andpoly[-(3-octylthiophene2,5-diyl)-(p-N,N-dimethylamino)benzylidenequinomethane-2,5-diyl)](POTDMABQ),weresynthesized.Thebandgapsofthetwopolymersarecalculatedas1.75eVforPBTDMABQand1.69eVforPOTDMABQ,respectively.Thehomogenousfilmsofthetwopolymerswerepreparedandtheirthird-ordernonlinearopticalpropertieswerestudiedbythebackwarddegeneratefour-wavemixingat532nm.Byusingtherelativemeasurementtechnique,thethird-ordernonlinearopticalsusceptibilitiesofPBTDMABQandPOTDMABQarecalculatedas5.62×10^-9and1.22×10^-8ESU,respectively.Itisfoundthatsubstitutedalkygroupshavestrongeffectsonthebandgapandnonlinearopticalpropertiesofthetwopolymers.Therelativelybigthird-ordernonlinearopticalsusceptibilitiesandsmallbandgapofPOTDMABQresultedmainlyfromthelongeralkylwithstrongelectron-donatingabilitycanenhancethedelocationdegreeofconjugatedπelectronics.

  • 标签: 衍生物 衰退四波混合 三阶非线性磁化率 带隙