简介:<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模
简介:在技术成熟度的评价过程中,现有的TRL(技术成熟度等级)评价方法、TRIZ(发现并解决问题的理论)评价法以及性能预测法均存在有效数据缺乏和评价结果不够精确等不足。采用了基于文献统计的方法,探索技术成熟度的评价方法及实施流程。研究技术指标的构建方法,结合logisticregression(逻辑回归)技术,构建技术发展模型,以保证数据的有效性和拟合结果的准确性。针对二维、三维及系统级多芯片模块3种技术,开展方法的应用研究。研究结果表明,基于文献统计方法的多芯片模块技术的评价结果能合理地解释实际情况下技术的发展程度,验证了文章提出方法的可行性。
简介:提出了一种新的恒虚警检测算法SOSGO-CFAR。该算法应用检测单元采样作为选择参考单元的依据,使用了基于转换恒虚警(S-CFAR)和排序选大恒虚警(OSGO—CFAR)的复合算法。文章给出了该算法在均匀背景中的数学分析。并在均匀背景、杂波边缘和多目标情况下,用MonteCarlo方法进行了仿真分析。结果表明,该检测器既具有均匀背景下和CA-CFAR相近的良好性能,在杂波边缘环境中,具有接近OSGO-CFAR的性能,且在多目标环境中,其性能明显好于S-CFAR。