简介：尽管锂电池技术已经在人们的日常生活中无处不在,但在能量密度的提升上,似乎已逐渐接近瓶颈.为了实现“数十年换一次电池”的目标,科学家开始将目光放到新式核电池的开发上.日前,由莫斯科物理技术学院（MIPT）、超硬和新型碳材料技术研究所（TISNCM）,以及国家科学技术大学MISIS联合研制出镍一63大容量核电池,其具有比普通市售电池更高的能量密度,续航可超百年.

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简介：日前，一种可利用自来水固化的在印刷线路板中使用的墨水状环氧树脂，由日本Yamatoya商会研制成功，并在“2005年第35届国际电子电路产业展”上展示。

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

简介：<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光

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简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模

简介：据《激光与光电子学进展》2009年第11期报道,夏普开发出了脉冲振荡时的光输出功率高达500mW的蓝紫色半导体激光器。面向记录型蓝光光盘装置,振荡波长为405nm。对于3层或4层光盘能以8倍速写入。该公司于2009年6

简介：松下电器产业与其全资子公司一松下环境技术中心（METEC）向新闻媒体宣布，开发成功了从家电回收利用过程中产生的“混合塑料垃圾”中提取金属的设备。该设备可将垃圾中含有的有机物通过二氧化钛热催化剂分解，变成无害气体。从事家电回收利用业务的METEC已经启用了此次新开发的设备。在家电回收利用过程中把二氧化钛作为热催化剂的工艺尚无前例。

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简介：<正>美国安可科技(AmkorTechnology)与美国德州仪器(TI)宣布,共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装,并已开始生产。据称,使用铜柱凸点比原来利用焊料凸点可缩小凸点间距,因而可应对伴随芯片微细化而产生的I/O密度增加问题。另外,通过优化铜柱凸点的配置,与普通的面积阵列型倒装芯片封装相比,可削减封装底板的层数,因而还能降低

简介：据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的

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简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

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