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  • 简介:2010年上半年中国集成电路产业运行概况2010年上半年中国集成电路产量为302.5亿块,同比大幅增长了49.4%。行业实现销售收入666.03亿元,与2009年上半年458.99亿元销售额相比,增长了45.1%。上半年的高增长主要得益于国内外市场的快速增长,以及去年上半年行业低谷的低基数效应。整体来看,今年上半年产业销售额不仅已恢复到2008年上半年的规模(2008年上半年产业销售额为640.25亿元),更在此基础上实现了一定的增长。

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  • 简介:得可太阳能已确认出席第24届欧洲光伏大会暨展览会,展示其最新的突破性光伏太阳能丝网印刷解决方案。展会将于9月21日至25日在德国汉堡举行,展示的重点将包括得可最新推出的PV3000高产量太阳能丝网印刷设备及领先的堆叠式印刷能力。

  • 标签: 丝网印刷设备 太阳能光伏 突破性 欧洲 光伏太阳能 展览会
  • 简介:<正>手机“无需充电”,就能一直用下去?这听起来像是天方夜谭。但是,记者日前却亲眼看到了这样的手机:初看外观,与目前市面上在售的手机没有什么两样,“玄机”藏在机身背部的手机电池板表面,安装了单晶硅或多晶硅太阳能电池,在受光照后产生的电

  • 标签: 硅太阳能电池 手机电池 单晶硅 技术成果转化 新闻报道 《解放日报》
  • 简介:<正>太阳光发电是21世纪科学技术的前沿阵地之一。世界各国政府都支持太阳光发电事业。欧盟《可再生能源白皮书》和“起飞运动”是欧洲太阳光发电的里程碑。德国政府的“十万个光伏屋顶计划”和德国新的《可再生能源法》规定,可以将私人的太阳光发电系统用不完的电,上电力网卖给国家电力公司,每千瓦时电0.99马克。对照中国南京市电价每度0.52元人民币,深感德国政府对太阳光发电政策的优惠。美国政府的“克林顿总统百万户太阳光发电屋顶计

  • 标签: 阳光发电技术 硅太阳能电池 太阳光发电系统 太阳能发电系统 硅太阳电池 太阳能光伏电池
  • 简介:VodafonePortugal已经推出了用太阳能充电的手机,将使用户能够在有太阳照耀的地方为手机电池充电。除了移动电话和PDA之外,这一灵活的充电技术还可以用来为其他设备充电,这些设备包括手持游戏机、MP3播放器和数码相机。

  • 标签: 太阳能充电 手机充电 MP3播放器 电池充电 移动电话 充电技术
  • 简介:上海世博国家电网企业馆太阳太阳能项目,集热面积132平方米,年替代标煤19.8吨,减排二氧化碳43.5吨。太阳能强化自然通风设计,解决了太阳能热水过剩的问题,为自然通风以及太阳能建筑的设计提供了新的理念。

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  • 简介:2009年世界太阳能光伏产业受全球金融危机冲击,进入了一轮阶段性低迷期,而2010年随着全球宏观经济环境的逐步好转,全球光伏产业又迈入了一轮新的增长期。2010年上半年全球光伏行业基本上还处在恢复性增长期,而下半年则进入了常规增长轨

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  • 简介:<正>位于美国华盛顿的世界观察研究所在新发布的一份研究报告中指出,最近几年来,全球太阳能发电装置的市场销售量以年均16%的幅度增长,目前总发电能力已经突破100万千瓦大关,达到138万千瓦。这份报告强调指出,由于采用了薄膜太阳能电池新技术,太阳能转化为电能的成本有望在2010年以前从目前的每千瓦4000美元降至1000美元,从而使得太阳能发电不仅在环境保护

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  • 简介:上海2011年1月,普莱克斯电子在中国赢得太阳能客户的三份新合同。按照这些新合同,普莱克斯向以下客户供气:为山西省长治市的山西潞安太阳能科技有限责任公司供应硅烷、氨气和大宗大气气体;为江苏省常

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  • 简介:太阳能技术和汽车工业有什么相通之处吗?答案是肯定的,而且方式还不止一种。如今汽车制造业既间接使用太阳能并网发电,同时也直接使用太阳能驱动汽车或为电池充电。

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  • 简介:太阳化学一直是油墨制造行业的佼佼者。今日太阳化学与MetalFX公司签订协议,协议制定太阳油墨成为其官方油墨制造商。金属色油墨将由世界上最大的油墨生产企业加工。太阳化学在油墨技术领域不断追求完美,在油墨的技术开发上也尽心尽力,是世界上最值的信赖的油墨产品和服务的供应商。

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  • 简介:<正>也许有一天,规划中的奥运村拧开水龙头就是热水,村里却看不见一座锅炉房,因为一切供暖使用的都是地热资源;而周围的电厂可能不会感到有压力,屋里的灯泡、电器全都使的是太阳能或者风力发电……

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  • 简介:人类历史上从未有如2009年底哥本哈根会议那样的事件,会使"节能减排"、"低碳"等字眼如此深入人心,全球经济的发展方向和导航标也已然转向了低碳经济。太阳能作为一种清洁的可再生能源,是未来低碳社会的理想能源之一,当下正越来越受到世界各国的重视。

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  • 简介:一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比(多量子阱)。我们发现,GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时,5×1017cm-3,2×1018cm-3,4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度(量子阱)。然而,当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3,晶体质量下降,从而导致外量子效率的降低(EQE),短路电流和开路电压。作为一个结果,一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

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