简介:<正>2013年6月17日,增长速度最快的半导体公司SiTime公司(SiTimeCorporation)宣布,推出TempFlatTMMEMS。在TempFlat出现之前,所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一个革命性的突破,通过消除温度补偿需求,大幅度的促进了性能的提高,尺寸的缩小,功耗和成本的降低。YoleDeveloppement的策划经理和首席分析师LaurentRobin表示:"到2018年,预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长,达到4.67亿
简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。