简介：《中国信息年鉴——2014》年会暨国家重大信息化工程交流会于2014年5月11日在北京召开，会议由《中国信息年鉴》期刊社主办。

简介：集成电路制造要经过成百上千个步骤，如果有一个步骤出现问题就会导致产品报废。所以在制造过程中及时发现问题，并给出有效的纠正预防措施就显得非常重要。介绍了在集成电路制造中使用统计过程控制SPC的方法，建立有效的控制规范和合理的监控频率，以便及时发现制程中存在的问题，及早制定出纠正预防措施，减少异常面的扩大。通过案例分析，详细介绍了统计过程控制SPC在集成电路制造中的运用，通过使用统计过程控制SPC的方法逐步提升制程能力，将制程稳定在受控状态。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：<正>英国曼彻斯特大学的科学家发现,含有白色石墨烯的三明治结构石墨烯有望用于制造高频电子器件。由诺贝尔奖获得者曼彻斯特大学的诺沃肖洛夫领导的研究团队已证实,通过将二维材料堆叠组合,可产生用于下一代晶体管的完美晶体结果。该研究成果发表于自然纳米杂志上。该研究的合作方包括英国兰开斯特和诺丁汉大学的科学家,以及俄罗斯、韩国和日本的科研人员。

简介：针对虚拟化项目开发环境访问控制管理复杂化问题，提出了基于规则引擎的项目开发环境访问控制架构，介绍了该架构的总体设计。同时分析了系统访问控制流程，并设计了访问控制逻辑与流程相分离的松耦合架构，为虚拟化建设和管理项目开发环境提供参考。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理