简介：<正>在日前举行的"通用平台技术论坛"(CommonPlatformTechnologyForum)上,IBM公司与其技术联盟伙伴三星电子(SamsungElectronics)和GlobalFoundries共同探讨超越FinFET技术的半导体发展前景,看好可挠曲晶圆、CMOS持续微缩、双重曝光微影以及碳纳米管和硅光等下一代技术的最
简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)
IBM揭示最新半导体制程技术进展
半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素
