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  • 简介:摘要由于磷元素具有较强的挥发性,作为掺杂剂掺入硅熔体后的全部过程都在大量挥发,尤其是重掺磷超低阻单晶的拉制,不仅掺杂效率低,并且挥发剂量受拉晶时间影响较大,所以在电阻率控制的准确度方面存在非常大的困难。本文主要通过对重掺磷单晶生长过程中的杂质掺杂方式和轴向电阻率控制等技术的研究,实现对重掺磷直拉硅单晶电阻率的有效控制

  • 标签: 直拉硅单晶,重掺磷,电阻率