简介:摘要:片式多层陶瓷电容器的破坏性物理分析是指对MLCC进行物理解剖,分析内部结构,从而确认芯片内部结构是否符合标准。介绍了MLCC进行破坏性物理分析过程中环氧树脂固化条件,芯片摆放方式,研磨方式以及定位技术的使用等,为MLCC破坏性物理分析提高分析效率,减少误判。
片式多层陶瓷电容器破坏性物理分析方法研究