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简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

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简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重

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简介：<正>皇家飞利浦电子公司日前推出业内首个大功率、全数字D类放大器解决方案半导体参考设计。飞利浦整合了脉宽调制(PWM)技术,为用户带来高性能、即插即用的基于TDA8939TH的参考设计,单一封装可提供高达140W的RMS输出。飞利浦TDA8939TH提供全数码放大器解决方案,具有高功率下的耐用性能和适合轻便型应用的小体积造型。另外,该参考设计整合的PWM控制器避免了附加声音处理芯片的需要。这使飞利浦能向客户提供一套完整的放大模块以帮助他们开发高级音频解决方案,并在缩短产品上市时间的同时提高性能。除了全数字、大功率解决方案之外,飞利浦的TDA8939TH放大器芯片还提供绝佳的定时精度和电磁兼容性。

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：<正>半导体分立器件行业属于国家重点鼓励行业,为助力行业深度发展,国家有关部门相继出台了多项产业扶持政策,为我国半导体分立器件企业的发展营造了良好的政策环境。国家产业政策的大力扶持2009年,国务院发布《电子信息产业调整和振兴规划》,强调要加快电子元器件产品升级,充分发挥整机需求的导向作用,围绕国内整机配套调整元器件产品结构,提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件等产品的研发生

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简介：美国加州大学伯克利分校和北京大学的研究人员联合研制出世界最小的半导体激光器。研究人员研制了一款高增益硫化镉纳米线,然后将纳米线与银金属相隔5nm,激光由此间隔出射。由于激光被大量储存在这个非金属的狭小

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简介：<正>日前,由IBM、德州仪器、Infineon科技公司、AppliedMicroCircuits公司和xilinx公司组成的半导体制造商联盟公布了一项计划,宣布将共同开发新的标准,将芯片间的传输速率提高到每秒10GB(10Gbps)。该组织宣称,有必要建立统一标准的原因是,随着10Gbps数字式信号进入无线电射频领域,不建立统一的标准就会遭遇严重的信号衰减和信号干扰的挑战。

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