简介：摘要：叉指背接触 (IBC) 太阳电池选用n型衬底材料，前后表面均覆盖一层热氧化膜，以降低表面复合。利用离子掺杂技术，在电池背面分别进行磷、硼局部扩散，形成有指状交叉排列的P区、N区，以及位于其上方的P+区、n+区重扩形成的P+和N+区可有效消除高聚光条件下的电压饱和效应。研究了对硼磷扩散在控制离子注入剂量时下调整扩散温度及时间得出最优方块电阻匹配范围对电池电性能的影响，实验表明在磷扩散注入剂量 6.6× 1014 ~6.8× 1014 ions/cm2、方阻250-280Ω/sq时可获得良好的电池性能。
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