简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领
简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。
简介：<正>据《电子材料》2002年第11期报道,日立制作所日前开发了用于下一代光网络系统的40Gbit/s光调制器。在该光调制器中使用了集成专用驱动电路的小型光传输模块。在无需光放大器时,其传输距离达2Km。该器件在与发射机组装时具有完整的阻抗匹配性,且容易与周边电路集成。为了与周边电路实现匹配,将InP—HBT光调制器驱动器集成于同一封装体内。该器件的光输出性能为1.3dBm。
简介：
FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展
日本松下采用LTCC技术集成SAW滤波器
40G bit/s光调制器的开发
世界最小的3轴加速度MEMS传感器
