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Cu3N薄膜的制备与性能研究

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摘要采用反应射频磁控溅射方法，在玻璃基底上成功制备出了氮化铜（Cu3N）薄膜，并研究了溅射参数对Cu3N薄膜的结构和性能的影响，结果显示，随着溅射功率和氮气分压的增加，氮化铜薄膜的择优取向由（111）方向向（100）方向改变。随着基底温度从70℃增加到200℃，薄膜从Cu3N相变为cu相。紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明，当溅射功率从80W逐渐增加到120W时，薄膜的光学能隙从1．85eV减小到1．41eV，电阻率从1．45×10^2Ω·cm增加到2．99×10^3Ω·cm。

DOI lj1oq1r54v/749192

作者崔增丽;黄致信;郭继花

机构地区不详

出处《纳米科技》 2009年2期

关键词氮化铜溅射参数物理性能

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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纳米科技

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