摘要
TH7032005031635MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15／InP分布布喇格反射镜的反射率=ReflectivityofMOCVD-Ga0.4In0．6AS0．85P0．15／InPdistributedBraggreflectors[刊,中]／蒋红(中科院长春光机所激发态物理重点实验室．吉林,长春(130033)),金亿鑫…∥发光学报．-2004,25(6)．-686-690采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y／InP交替生长制备出在工作波长为1．55μm时具有较高反射率的分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递
出版日期
2005年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
