光电子技术与器件 红外技术与器件

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摘要 TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
作者
机构地区 不详
出处 《中国光学》 2005年4期
出版日期 2005年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)