不饱和类锗烯H_2CGeNaBr的密度泛函理论研究-中国期刊网

摘要应用密度泛函理论DFT方法，在B3LYP／6—311G（d，p）水平上研究了不饱和类锗烯H2C=GeNaBr的结构及异构化反应．结果表明，不饱和类锗烯H2C=GeNaB。有3种平衡构型，其中非平面的p-配合物型构型能量最低，是其存在的主要构型．并对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算，求得了转化势垒，预言了最稳定构型的振动频率和红外强度．

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不饱和类锗烯H_2CGeNaBr的密度泛函理论研究

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