摘要
摘要： CMOS器件是现代微电子发展的重要基础，正是基于 CMOS器件，使得沟道内电流可以得到有效调控，从而使得芯片以及集成电路得以实现，可以说当前计算机信息技术的发展与繁荣， CMOS器件在其中发挥着至关重要的作用。而在其微机械加工环节中，为了使得各项技术参数控制的更加准确，并保证最终器件的质量，需要使用到优越的温度传感器作为判断的依据来源，而对温度传感器中使用到的多晶硅层特性进行研究与分析也是相当有必要的。基于此，本文选择了不同种类的多晶硅层，并借助一定的实验研究其电阻与温度之间的关系，从而得出材料的重要物理参数如基准温度电阻、电阻温度系数等等，这些参数也是确定温度传感器使用范围的重要依据，根据此可以得出在怎样的临界温度下工作。基于上述实验，得到更加适合 CMOS微机械加工温度传感器的多晶硅层，以供相关人士参考。
出版日期
2020年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
