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高温退火

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摘要 SY508-3-59[篇名]ASelf-Aligned,ElectricallySeparableDouble-GateMOSTransistorTechnologyforDynamicThresholdVoltageApplication，SY508-3-60[篇名]Anomalousphosphorousdiffusion，……

DOI 54k2me3e4k/344109

作者

机构地区不详

出处《热处理工艺与设备：英文版》 2005年3期

关键词高温退火极限压力电子自排列 MOS转换器化学真空沉积

分类 [金属学及工艺][热处理]

出版日期 2005年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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