首页
期刊导航
期刊检索
论文检索
新闻中心
期刊
期刊
论文
首页
>
《科学与技术》
>
2019年09期
>
高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响
高压VDMOS器件P区注入对阈值电压的影响
打印
分享
在线阅读
下载PDF
导出详情
摘要
未填写
DOI
ldevpkqzj3/2849017
作者
吴茜王莎莎翁锴强
机构地区
(西安微晶微电子有限公司陕西省西安市710000)
出处
《科学与技术》
2019年09期
关键词
半导体
VDMOS功率器件
阈值电压
体区浓度
分类
[社会学][]
出版日期
2019年09月19日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
相关文献
1
吴茜,王莎莎,翁锴强.
高压 VDMOS器件 P区注入对阈值电压的影响
.建筑技术科学,2019-12.
2
雷云飞 ,韩袁军 ,刘庆飞.
数字电路阈值电压测试方法介绍
.文化科学,2023-05.
3
李博然,李良玉,谭思健.
基于动态栅偏阈值电压在线监测系统的研究
.电力系统及自动化,2023-12.
4
吴慧敏1,魏干1,王展杰2.
功率器件VDMOS渐变型IDSS散点失效分析
.建筑技术科学,2021-07.
5
.
浙大微电子500V/18A、200V/40A高压功率VDMOS器件研发成功
.微电子学与固体电子学,2011-03.
6
马一洁,史瑞,张杨.
VDMOS器件一种区域性 IGSS失效的分析及解决
.建筑技术科学,2019-12.
7
马一洁史瑞张杨.
VDMOS器件一种区域性IGSS失效的分析及解决
.社会学,2019-09.
8
李胜;徐志远;魏家行;刘斯扬;孙伟锋.
辐照对4H-SiC VDMOS电学参数的影响
.高等教育学,2018-04.
9
袁凯.
过电压对高压电气设备的影响
.电力系统及自动化,2020-06.
10
陈海波;刘远;吴建伟;恩云飞.
埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响
.物理电子学,2017-10.
来源期刊
科学与技术(学术版)
2019年09期
相关推荐
高压补偿电容对配电变压器过电压的影响分析
集成电路ESD注入损伤效应及注入电压与能量间的关系
对QFP器件微焊点强度的影响
几种纳米器件对种子发芽的影响
过电压对电力机车高压电气设备的影响
同分类资源
更多
[统计学]
信息短波
[社会学]
小学体育课程标准与学校体育教学改革新探
[社会学]
高职专业英语应用文写作项目教学法的应用研究
[人口学]
关爱女孩阳光助学
[社会学]
对我国落后地区村民自治参与主体素质的分析
相关关键词
半导体
VDMOS功率器件
阈值电压
体区浓度
返回顶部