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《电力电子》
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最新技术的PTIGBT和功率MOS的比较
最新技术的PTIGBT和功率MOS的比较
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摘要
最近由于降低了导通和开关损耗,PTIGBT的性能已在200~300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少,总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命,这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明,300V的IGBT比功率MOS的成本低,性能更好。
DOI
9ojnog3ldr/228913
作者
J.道奇;J.莫里森
机构地区
不详
出处
《电力电子》
2004年3期
关键词
PT
IGBT
功率MOS
电力半导体器件
导通电阻
金属氧化物半导体场效应晶体管
分类
[电子电信][电路与系统]
出版日期
2004年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
电力电子
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