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8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计

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摘要基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150nm和100nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphichighelectronmobilitytransistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20GHz,增益约为23~28dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10dB。

DOI pj0z9zlw4y/2049703

作者李政凯;陈莹;李斌

机构地区不详

出处《中国科学院上海天文台年刊》 2014年1期

关键词宽带微波单片集成低噪声放大器 pHMET晶体管

分类 [天文地球][天文学]

出版日期 2014年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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中国科学院上海天文台年刊

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